M06400 - SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法 StdTpc-Gases - Process high-brightness light emitting diode [HB-LED]

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Description

high-brightness light emitting diode [HB-LED]

originally published in 1984

This Test Method covers the determination of total oxygen concentration in the bulk of single crystal silicon substrates using SIMS

orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2007年7月発行，前版は2009年3月に発行された。

It is published and sold separately

M06400 - SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法 StdTpc-Gases - Process high-brightness light emitting diode [HB-LED]global Compound Semiconductor Committee20051129global Audits and Reviews Subcommittee20061www. semi. org20063CD ROM SI GaAsEL2 Referenced SEMI Standards SEMI M39 Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Semi Insulating GaAs Single Crystals

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