F07100 - SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法 Revision:SEMI F71-1102 - Inactive エピタキシャルシリコンウェーハは，多くの集積回路やディスクリート半導体デバイスに使用されている。共通のプロセス装置を複数のデバイス製造ラインで使用できるようにするためには，エピタキシャルウェーハの寸法を標準化することが不可欠である。

エピタキシャルシリコンウェーハは，多くの集積回路やディスクリート半導体デバイスに使用されている。共通のプロセス装置を複数のデバイス製造ラインで使用できるようにするためには，エピタキシャルウェーハの寸法を標準化することが不可欠である。

Alternative methods may be used as long as they comply with SEMI C1 guidelines for method validation

本文書の目的は，高純度ガス分配システムおよび半導体製造プロセス装置に搭載するPOU精製器およびフィルタの試験方法について定義することである。この試験方法を適用することにより，搭載の検定試験時に種々のPOU精製器およびフィルタの間で比較可能なデータを得ることができる。

It is the responsibility of the users of this Standard to conform to the appropriate local codes and regulations as applied to this type of equipment

together with test methods suitable for determining their magnitude where such procedures are documented

F07100 - SEMI F71 - ガス供給システムの温度サイクル試験方法 Revision:SEMI F71-1102 - Inactive エピタキシャルシリコンウェーハは，多くの集積回路やディスクリート半導体デバイスに使用されている。共通のプロセス装置を複数のデバイス製造ラインで使用できるようにするためには，エピタキシャルウェーハの寸法を標準化することが不可欠である。NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. SEMI SEMI Global Facilities CommitteeJapan Facilities Committee2002719Japan Regional Standards Committee20029www. semi. org200211 NOTICE: This Standard or Safety Guideline has an Inactive Status because the conditions to maintain Current Status