M08800 - SEMI M88 - Practice for Sample Preparation Methods for Measuring Minority Carrier Diffusion Length in Silicon Wafers by Surface Photovoltage Methods Revision:SEMI M88-0119 - Current 静電気の数々の制御方法は，静電気を許容レベル以下に制御するために装置設計に組み込むことができる。このガイドは，基本的には装置製造業者が装置設計を行う際に使用される。

静電気の数々の制御方法は，静電気を許容レベル以下に制御するために装置設計に組み込むことができる。このガイドは，基本的には装置製造業者が装置設計を行う際に使用される。

半導体プロセス技術は，より微細化形状に向かい続けるであろう。静電気の許容可能なレベルは，製造プロセスの微細化に伴って低くなる。この文書は，設備の静電気の限界値が製造中の製品に対して適切であることを確認するのに役立つ。International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS)に含まれる形状サイズを参照。

SEMI E1-0697 (technical revision)

org in August 2011

by clarifying the positional relationship among equipment

M08800 - SEMI M88 - Practice for Sample Preparation Methods for Measuring Minority Carrier Diffusion Length in Silicon Wafers by Surface Photovoltage Methods Revision:SEMI M88-0119 - Current 静電気の数々の制御方法は，静電気を許容レベル以下に制御するために装置設計に組み込むことができる。このガイドは，基本的には装置製造業者が装置設計を行う際に使用される。Shrinkage and advanced integration of semiconductor components demand lower metal contamination levels in component fabrication processes and in base silicon wafer substrates. The industry has for some time widely employed surface photovoltage (SPV) measurements of minority carrier diffusion lengths as a technique to assess metal impurities in silicon wafers. Samples, however, often require surface preparation prior to SPV measurements because SPV