PP9585 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI50Z-100 820R Optimale Leistung: Bietet verbesserte Signalverarbeitung

Optimale Leistung: Bietet verbesserte Signalverarbeitung für präzise Steuerung

Vielseitige Anwendung: Ideal für unterschiedliche industrielle Prozesse

64 durch seine herausragenden Eigenschaften und die robusten technischen Spezifikationen eine ausgezeichnete Wahl für Anwendungen in der Industrie

Profitieren Sie von der Robustheit und der einfachen Integration dieser hochwertigen Platine

steigert er die Sicherheitsstandards

PP9585 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI50Z-100 820R Optimale Leistung: Bietet verbesserte SignalverarbeitungDer PP9585 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Fuji 2DI50Z 100 ist eine zuverlssige Wahl fr industrielle Anwendungen. Dieses gebrauchte Modul stammt aus der Zerlegung eines Motorreglers und war bis zur Demontage in vollem Betrieb. Der IGBT bietet eine hervorragende Leistung und Effizienz, ideal fr Anwendungen in der Leistungselektronik. Hochleistungsfhigkeit: Mit einer maximalen Stromstrke von 50A und einer Spannungsfestigkeit von bis zu 1000V